首页 >> 研究报告

科技产业监测(2021年第2期)【新一代半导体材料产业专刊(二)】

湖南省科技信息研究所 www.hninfo.org.cn     时间:2021月10月13日   [字体: ]

 
目录

【监测综述】

【科技战略】

国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》

《宽禁带功率半导体“十四五”发展建议书》发布

广东省培育半导体及集成电路战略性新兴产业集群行动计划(2021-2025年)》发布

【行业监测】

碳化硅器件市场2025年或将超过25亿美元

美国将拨款370亿美元加强芯片制造业发展

CASA发布《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范》团体标准

【企业动态】

安森美半导体发布新的650V碳化硅MOSFET器件

Navitas发布新一代氮化镓功率芯片NV6128

瀚天天成在碳化硅超结关键制造工艺方面取得重大突破

湖南三安半导体项目芯片厂房封顶

行业监测

碳化硅器件市场2025年或将超过25亿美元

根据Yole Developpement的《功率用SiC:材料、器件和应用--2020年版》报告,SiC器件市场估计将以30%的复合年增长率(CAGR)上升,从2019年的2.25亿美元上升到2025年的25亿多美元。Yole的化合物半导体与新兴基材团队首席分析师Ezgi Dogmus博士指出:“事实上,在电动车相关应用的推动下,电力电子应用的SiC在未来5年肯定会强劲增长”。

由于新冠疫情的影响,2020年上半年电动汽车/混合动力汽车领域的SiC器件和材料市场增长放缓。尽管如此,SiC的市场前景是积极的。众多汽车制造商继续为其下一代车型的逆变器、车载充电器和DC/DC转换器中的碳化硅分立器件或模块进行鉴定。作为整个电力电子市场的主要驱动力之一,汽车应用因此有望继续成为SiC电源领域的主要市场,预计2025年SiC汽车市场将以38%的年均增长率增长,超过15亿美元。除了电动汽车的应用,正在大幅增长的充电基础设施市场对SiC也非常感兴趣。事实上,与硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)相比,高功率充电器可以通过提供更紧凑的解决方案,从SiC的更高效率和更高频率中获益。Yole认为,这个市场正以90%的复合年增长率从2019年的仅500万美元增长到2025年的2.25亿美元。

(信息来源:中宽联官网)

美国将拨款370亿美元加强芯片制造业发展

2021年2月24日,美国总统拜登签署了一项行政命令,对包括半导体行业在内的关键行业的供应链进行一次范围广泛的审查。这项行政命令要求立即对稀土元素、电动汽车电池、药品和半导体四个领域的供应链进行为期100天的审查。据悉,芯片短缺迫使一些汽车制造商大幅减产,甚至关闭了在美国和海外的工厂。美国福特汽车公司称,由于缺乏芯片,公司汽车产量将在今年一季度下降20%以上。通用汽车公司也被迫削减美国、加拿大和墨西哥工厂的产量。

拜登表示,“将指示本届政府的高级官员与工业领袖们合作,寻找解决半导体短缺问题的办法,国会已经批准了一项法案,但他们还需要370亿美元来确保我们拥有这个能力。”据了解,今年2月初,就有部分美国芯片生产商敦促总统拜登提供大量资金用于支持“半导体制造业”。

(信息来源:半导体行业观察官微)

CASA发布《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范》团体标准

2020年12月28日,北京第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)发布一项联盟标准T/CASA 006-2020《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范》。该项标准由中国科学院微电子研究所牵头起草,按照CASAS标准制定程序(立项、征求意见稿、委员会草案、发布稿)完成。标准的制定得到了很多CASA标准化委员会正式成员的支持。

随着碳化硅材料、器件技术的不断突破与发展,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)近年来在新能源、电动汽车等领域应用越来越广泛,并取得了不错的示范效果。为了加快推进SiC MOSFET功率器件的产业化发展和规模化应用,迫切需要制定SiC MOSFET功率器件的标准和规范,以指导和促进SiC MOSFET功率器件的性能不断提升,质量更加可靠,应用更符合实际需求。

T/CASA 006-2020《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范》主要起草单位有中国科学院微电子研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、华大半导体有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司等。

(信息来源:第三代半导体产业技术创新战略联盟官网)

信息来源:竞争情报研究中心